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BD17910STU

BD17910STU

僅供參考

型號 BD17910STU
PNEDA編號 BD17910STU
描述 TRANS NPN 80V 3A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD17910STU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD17910STU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BD17910STU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce63 @ 150mA, 2V
功率-最大30W
頻率-過渡3MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 2.5A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 3A, 4V

功率-最大

3.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-218-3

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

1.56W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

350MHz

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

14 @ 200mA, 5V

功率-最大

50W

頻率-過渡

13MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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