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BD1766STU

BD1766STU

僅供參考

型號 BD1766STU
PNEDA編號 BD1766STU
描述 TRANS PNP 45V 3A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD1766STU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD1766STU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BD1766STU, BD1766STU數據表 (總頁數: 6, 大小: 158.37 KB)
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BD1766STU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 150mA, 2V
功率-最大30W
頻率-過渡3MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 20mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 5A, 5V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

215mV @ 20mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1A, 2V

功率-最大

555mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 50mA, 2V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

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工作溫度

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1A, 2V

功率-最大

25W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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