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BCR192WH6327XTSA1

BCR192WH6327XTSA1

僅供參考

型號 BCR192WH6327XTSA1
PNEDA編號 BCR192WH6327XTSA1
描述 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR192WH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR192WH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
BCR192WH6327XTSA1, BCR192WH6327XTSA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 836.27 KB)
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BCR192WH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡200MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝PG-SOT323-3

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47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

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100nA (ICBO)

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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功率-最大

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