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BCR 164L3 E6327

BCR 164L3 E6327

僅供參考

型號 BCR 164L3 E6327
PNEDA編號 BCR-164L3-E6327
描述 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,804
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR 164L3 E6327資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR 164L3 E6327
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
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BCR 164L3 E6327規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡160MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-101, SOT-883
供應商設備包裝PG-TSLP-3-4

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 20mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

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電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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電阻-基本(R1)

47 kOhms

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120 @ 5mA, 10V

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