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BCP5616E6327HTSA1

BCP5616E6327HTSA1

僅供參考

型號 BCP5616E6327HTSA1
PNEDA編號 BCP5616E6327HTSA1
描述 TRANS NPN 80V 1A SOT-223
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCP5616E6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCP5616E6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BCP5616E6327HTSA1, BCP5616E6327HTSA1數據表 (總頁數: 7, 大小: 821.95 KB)
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BCP5616E6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝PG-SOT223-4

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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