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BCP5216E6327HTSA1

BCP5216E6327HTSA1

僅供參考

型號 BCP5216E6327HTSA1
PNEDA編號 BCP5216E6327HTSA1
描述 TRANS PNP 60V 1A SOT-223
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,876
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 18 - 六月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCP5216E6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCP5216E6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BCP5216E6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡125MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝PG-SOT223-4

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 250mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 3A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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