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BCP51H6327XTSA1

BCP51H6327XTSA1

僅供參考

型號 BCP51H6327XTSA1
PNEDA編號 BCP51H6327XTSA1
描述 TRANS PNP 45V 1A SOT223
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 20 - 七月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCP51H6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCP51H6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BCP51H6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 150mA, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡125MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝PG-SOT223-4

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20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 2V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

170MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 2A, 1V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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