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BC858AW-G

BC858AW-G

僅供參考

型號 BC858AW-G
PNEDA編號 BC858AW-G
描述 TRANS PNP 30V 100MA SOT323
制造商 Comchip Technology
單價 請求報價
庫存 5,112
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC858AW-G資源

品牌 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC858AW-G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BC858AW-G規格

制造商Comchip Technology
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce125 @ 2.2mA, 5V
功率-最大150mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SOT-323

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 5mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 5A, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 600mA, 5V

功率-最大

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工作溫度

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