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BC309CBU

BC309CBU

僅供參考

型號 BC309CBU
PNEDA編號 BC309CBU
描述 TRANS PNP 25V 0.1A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,088
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 8 - 六月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC309CBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC309CBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BC309CBU, BC309CBU數據表 (總頁數: 5, 大小: 44.59 KB)
PDFBC308_J35Z數據表 封面
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BC309CBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce380 @ 2mA, 5V
功率-最大500mW
頻率-過渡130MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

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工作溫度

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800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 1mA, 10V

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1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 15mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 2V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 2A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

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2W

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