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BC308BBU

BC308BBU

僅供參考

型號 BC308BBU
PNEDA編號 BC308BBU
描述 TRANS PNP 25V 0.1A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,178
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC308BBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC308BBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BC308BBU, BC308BBU數據表 (總頁數: 5, 大小: 44.59 KB)
PDFBC308_J35Z數據表 封面
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BC308BBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 2mA, 5V
功率-最大500mW
頻率-過渡130MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 1.5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 10mA, 2V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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FJX1182YTF

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 1V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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SC-70 (SOT323)

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 300mA, 12A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 5A, 10V

功率-最大

180W

頻率-過渡

-

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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