BAY80-TR
僅供參考
| 型號 | BAY80-TR |
| PNEDA編號 | BAY80-TR |
| 描述 | DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35 |
| 制造商 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 5,202 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸) |
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BAY80-TR資源
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BAY80-TR規格
| 制造商 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 二極管類型 | Standard |
| 電壓-直流反向（Vr）（最大值） | 120V |
| 電流-平均整流（Io） | 250mA (DC) |
| 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 | 1.07V @ 150mA |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 反向恢復時間（trr） | 50ns |
| 當前-反向泄漏@ Vr | 100nA @ 120V |
| 電容@ Vr，F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 包裝/箱 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 供應商設備包裝 | DO-35 |
| 工作溫度-結點 | 175°C (Max) |
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 Automotive, AEC-Q101 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 100V 電流-平均整流（Io） 20A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.07V @ 20A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 350µA @ 100V 電容@ Vr，F - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220AB 工作溫度-結點 -40°C ~ 150°C |
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