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ATP114-TL-H

ATP114-TL-H

僅供參考

型號 ATP114-TL-H
PNEDA編號 ATP114-TL-H
描述 MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 43,242
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ATP114-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ATP114-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ATP114-TL-H, ATP114-TL-H數據表 (總頁數: 7, 大小: 369.27 KB)
PDFATP114-TL-H數據表 封面
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ATP114-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)55A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs92nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4000pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)60W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝ATPAK
包裝/箱ATPAK (2 leads+tab)

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系列

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

240V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 350mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 108µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

95pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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-

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

240V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±40V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-89-3

包裝/箱

TO-243AA

制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1135W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.56W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1079pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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