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AS6C1016-55BINTR

AS6C1016-55BINTR

僅供參考

型號 AS6C1016-55BINTR
PNEDA編號 AS6C1016-55BINTR
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 6,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 10 - 六月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS6C1016-55BINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS6C1016-55BINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS6C1016-55BINTR, AS6C1016-55BINTR數據表 (總頁數: 13, 大小: 444.24 KB)
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AS6C1016-55BINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (64K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-TFBGA (6x8)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

450ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-TFBGA

供應商設備包裝

60-FBGA (8x10)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

600MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存大小

4Gb (1G x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.2GHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

19ns

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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16Mb (2M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

1.5ms

訪問時間

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工作溫度

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