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AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

僅供參考

型號 AS4C8M32S-6BIN
PNEDA編號 AS4C8M32S-6BIN
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,380
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C8M32S-6BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C8M32S-6BIN
類別半導體內存IC內存

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AS4C8M32S-6BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小256Mb (8M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁2ns
訪問時間5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

供應商設備包裝

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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25ns

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工作溫度

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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20ns

訪問時間

20ns

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

12µs, 2.4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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