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AS4C8M16D1-5BCNTR

AS4C8M16D1-5BCNTR

僅供參考

型號 AS4C8M16D1-5BCNTR
PNEDA編號 AS4C8M16D1-5BCNTR
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 2,178
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 24 - 七月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C8M16D1-5BCNTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C8M16D1-5BCNTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C8M16D1-5BCNTR, AS4C8M16D1-5BCNTR數據表 (總頁數: 66, 大小: 4,317.87 KB)
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AS4C8M16D1-5BCNTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-TFBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

10ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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