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AS4C64M8D1-5TCNTR

AS4C64M8D1-5TCNTR

僅供參考

型號 AS4C64M8D1-5TCNTR
PNEDA編號 AS4C64M8D1-5TCNTR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 5,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C64M8D1-5TCNTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C64M8D1-5TCNTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C64M8D1-5TCNTR, AS4C64M8D1-5TCNTR數據表 (總頁數: 65, 大小: 1,371.9 KB)
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AS4C64M8D1-5TCNTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP II

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內存接口

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時鐘頻率

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

8ns

訪問時間

8ns

電壓-供電

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安裝類型

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

2.6ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

72Kb (4K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

7.5ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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工作溫度

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