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AS4C64M16MD1-6BINTR

AS4C64M16MD1-6BINTR

僅供參考

型號 AS4C64M16MD1-6BINTR
PNEDA編號 AS4C64M16MD1-6BINTR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 4 - 六月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C64M16MD1-6BINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C64M16MD1-6BINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C64M16MD1-6BINTR, AS4C64M16MD1-6BINTR數據表 (總頁數: 43, 大小: 5,557.07 KB)
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AS4C64M16MD1-6BINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x10)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.2GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

96-FBGA (8x14)

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內存接口

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內存接口

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時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

3.4ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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