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AS4C64M16D3LB-12BIN

AS4C64M16D3LB-12BIN

僅供參考

型號 AS4C64M16D3LB-12BIN
PNEDA編號 AS4C64M16D3LB-12BIN
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 6,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 10 - 七月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C64M16D3LB-12BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C64M16D3LB-12BIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C64M16D3LB-12BIN, AS4C64M16D3LB-12BIN數據表 (總頁數: 86, 大小: 1,964.21 KB)
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AS4C64M16D3LB-12BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (9x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

90ns

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.6GHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

19ns

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

100ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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