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AS4C32M16D1-5BINTR

AS4C32M16D1-5BINTR

僅供參考

型號 AS4C32M16D1-5BINTR
PNEDA編號 AS4C32M16D1-5BINTR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 8,262
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 27 - 六月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C32M16D1-5BINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C32M16D1-5BINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C32M16D1-5BINTR, AS4C32M16D1-5BINTR數據表 (總頁數: 63, 大小: 1,270.17 KB)
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AS4C32M16D1-5BINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-TFBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

120ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

14ms

訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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