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AS4C256M8D3LA-12BCNTR

AS4C256M8D3LA-12BCNTR

僅供參考

型號 AS4C256M8D3LA-12BCNTR
PNEDA編號 AS4C256M8D3LA-12BCNTR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 2,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C256M8D3LA-12BCNTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C256M8D3LA-12BCNTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C256M8D3LA-12BCNTR, AS4C256M8D3LA-12BCNTR數據表 (總頁數: 83, 大小: 2,017.01 KB)
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AS4C256M8D3LA-12BCNTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-VFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x10.5)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

85ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

SRAM

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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Alliance Memory, Inc.

制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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