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AS4C256M16D3A-12BANTR

AS4C256M16D3A-12BANTR

僅供參考

型號 AS4C256M16D3A-12BANTR
PNEDA編號 AS4C256M16D3A-12BANTR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 4,158
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 24 - 七月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C256M16D3A-12BANTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C256M16D3A-12BANTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C256M16D3A-12BANTR, AS4C256M16D3A-12BANTR數據表 (總頁數: 83, 大小: 1,977.42 KB)
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AS4C256M16D3A-12BANTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列Automotive, AEC-Q100
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小4Gb (256M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-VFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

0.6V, 1.1V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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包裝/箱

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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Toshiba Memory America, Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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