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AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

僅供參考

型號 AS4C16M32MS-6BIN
PNEDA編號 AS4C16M32MS-6BIN
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 18 - 六月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C16M32MS-6BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C16M32MS-6BIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C16M32MS-6BIN, AS4C16M32MS-6BIN數據表 (總頁數: 48, 大小: 3,858.46 KB)
PDFAS4C32M16MS-7BCNTR數據表 封面
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AS4C16M32MS-6BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile SDRAM
內存大小512Mb (16M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5.4ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-VFBGA
供應商設備包裝90-FBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

2.6ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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電壓-供電

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安裝類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

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4.5V ~ 5.5V

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