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AS4C128M8D3-12BCNTR

AS4C128M8D3-12BCNTR

僅供參考

型號 AS4C128M8D3-12BCNTR
PNEDA編號 AS4C128M8D3-12BCNTR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C128M8D3-12BCNTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C128M8D3-12BCNTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C128M8D3-12BCNTR, AS4C128M8D3-12BCNTR數據表 (總頁數: 85, 大小: 3,251.91 KB)
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AS4C128M8D3-12BCNTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x10.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

3Tb (384G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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技術

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內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

2ns

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

8.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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