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AS4C128M32MD2A-18BINTR

AS4C128M32MD2A-18BINTR

僅供參考

型號 AS4C128M32MD2A-18BINTR
PNEDA編號 AS4C128M32MD2A-18BINTR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 2,988
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 24 - 六月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C128M32MD2A-18BINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C128M32MD2A-18BINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C128M32MD2A-18BINTR, AS4C128M32MD2A-18BINTR數據表 (總頁數: 122, 大小: 5,015.31 KB)
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AS4C128M32MD2A-18BINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小4Gb (128M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱134-VFBGA
供應商設備包裝134-FBGA (10x11.5)

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Parallel

時鐘頻率

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3ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

Through Hole

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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10ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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