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APTM10HM09FT3G

APTM10HM09FT3G

僅供參考

型號 APTM10HM09FT3G
PNEDA編號 APTM10HM09FT3G
描述 MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 8 - 六月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM10HM09FT3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM10HM09FT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM10HM09FT3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)139A
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs350nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9875pF @ 25V
功率-最大390W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 22µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3050pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A, 23A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1695pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

690pF @ 25V

功率-最大

2W

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FET類型

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

317A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 158.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

448nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27400pF @ 25V

功率-最大

1136W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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