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APTM100TDU35PG

APTM100TDU35PG

僅供參考

型號 APTM100TDU35PG
PNEDA編號 APTM100TDU35PG
描述 MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM100TDU35PG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM100TDU35PG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM100TDU35PG, APTM100TDU35PG數據表 (總頁數: 6, 大小: 290.65 KB)
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APTM100TDU35PG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A
Rds On(Max)@ Id,Vgs420mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs186nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5200pF @ 25V
功率-最大390W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6-P

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V, 200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc), 20A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V

功率-最大

48W (Tc), 60W (Tc)

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

功率-最大

3W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

59A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

540nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13600pF @ 100V

功率-最大

462W

工作溫度

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安裝類型

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9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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