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APTM100A13DG

APTM100A13DG

僅供參考

型號 APTM100A13DG
PNEDA編號 APTM100A13DG
描述 MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 12 - 七月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM100A13DG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM100A13DG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM100A13DG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)65A
Rds On(Max)@ Id,Vgs156mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 6mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs562nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15200pF @ 25V
功率-最大1250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.58nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 16V

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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30mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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