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APTGT50H120TG

APTGT50H120TG

僅供參考

型號 APTGT50H120TG
PNEDA編號 APTGT50H120TG
描述 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,294
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT50H120TG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT50H120TG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT50H120TG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
功率-最大277W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce3.6nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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當前-集電極(Ic)(最大值)

250A

功率-最大

890W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

13.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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包裝/箱

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IGBT類型

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Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

750A

功率-最大

2344W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

51.2nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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制造商

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

440A

功率-最大

1250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

8mA

輸入電容(Cies)@ Vce

20nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

功率-最大

156W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Three Phase Inverter with Brake

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

225W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

900µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.65nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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E2

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