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APTGT30A170D1G

APTGT30A170D1G

僅供參考

型號 APTGT30A170D1G
PNEDA編號 APTGT30A170D1G
描述 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,158
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT30A170D1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT30A170D1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT30A170D1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)45A
功率-最大210W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 30A
當前-集電極截止(最大值)3mA
輸入電容(Cies)@ Vce2.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D1
供應商設備包裝D1

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

345W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.3V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

16.25nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-227

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IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65A

功率-最大

350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.8V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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E2

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1700V

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-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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