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APTGT200DA170D3G

APTGT200DA170D3G

僅供參考

型號 APTGT200DA170D3G
PNEDA編號 APTGT200DA170D3G
描述 IGBT 1700V 400A 1250W D3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,220
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT200DA170D3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT200DA170D3G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT200DA170D3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)400A
功率-最大1250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce17nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D-3 Module
供應商設備包裝D3

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功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.95nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

1100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 10V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

170nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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制造商

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

910A

功率-最大

3000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

4mA

輸入電容(Cies)@ Vce

37.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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