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APTGT150TDU60PG

APTGT150TDU60PG

僅供參考

型號 APTGT150TDU60PG
PNEDA編號 APTGT150TDU60PG
描述 IGBT MODULE TRPL DUAL SRCE SP6P
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $1,929.8865
50 ---------- $1,839.4230
100 ---------- $1,748.9596
200 ---------- $1,658.4962
400 ---------- $1,583.1100
500 ---------- $1,507.7238
庫存 4,691
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT150TDU60PG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT150TDU60PG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT150TDU60PG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Triple, Dual - Common Source
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)225A
功率-最大480W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 150A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce9.2nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6-P

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

760A

功率-最大

1600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

37nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

D4

供應商設備包裝

D4

CM200DX-24S

Powerex Inc.

制造商

Powerex Inc.

系列

IGBTMOD™

IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

1500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

20nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APTGT50H60T2G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Full Bridge Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

功率-最大

176W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.15nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP2

供應商設備包裝

SP2

APTGL180A1202G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

220A

功率-最大

750W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP2

供應商設備包裝

SP2

APTGT100DH120TG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Asymmetrical Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

功率-最大

480W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

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