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APTGLQ50TL65T3G

APTGLQ50TL65T3G

僅供參考

型號 APTGLQ50TL65T3G
PNEDA編號 APTGLQ50TL65T3G
描述 POWER MODULE - IGBT
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 4 - 六月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGLQ50TL65T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGLQ50TL65T3G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGLQ50TL65T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Three Level Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
功率-最大175W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)50µA
輸入電容(Cies)@ Vce3.1nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝SP3F

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

450A

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

28nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APTGF50DDA120T3G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Dual Boost Chopper

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

功率-最大

312W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.45nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP3

供應商設備包裝

SP3

制造商

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系列

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IGBT類型

NPT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

135A

功率-最大

560W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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IGBT類型

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

1890W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

47nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Module

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系列

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IGBT類型

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.46nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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