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APTGLQ30H65T3G

APTGLQ30H65T3G

僅供參考

型號 APTGLQ30H65T3G
PNEDA編號 APTGLQ30H65T3G
描述 POWER MODULE - IGBT
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGLQ30H65T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGLQ30H65T3G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGLQ30H65T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
功率-最大95W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 30A
當前-集電極截止(最大值)50µA
輸入電容(Cies)@ Vce1.9nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝-

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功率-最大

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輸入電容(Cies)@ Vce

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NTC熱敏電阻

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 1500A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

82nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.43nF @ 25V

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300A

功率-最大

1500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

42nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

960W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

23nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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