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APTC80DSK29T3G

APTC80DSK29T3G

僅供參考

型號 APTC80DSK29T3G
PNEDA編號 APTC80DSK29T3G
描述 MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC80DSK29T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC80DSK29T3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTC80DSK29T3G, APTC80DSK29T3G數據表 (總頁數: 6, 大小: 308.92 KB)
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APTC80DSK29T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A
Rds On(Max)@ Id,Vgs290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs90nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2254pF @ 25V
功率-最大156W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 10V

功率-最大

5W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

888pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

功率-最大

1.1W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta), 15A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC, 25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF, 1250pF @ 15V

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