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APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

僅供參考

型號 APT75GN60B2DQ3G
PNEDA編號 APT75GN60B2DQ3G
描述 IGBT 600V 155A 536W TO264
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 10 - 七月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT75GN60B2DQ3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT75GN60B2DQ3G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT75GN60B2DQ3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)155A
電流-集電極脈沖(Icm)225A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.85V @ 15V, 75A
功率-最大536W
開關能量2500µJ (on), 2140µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用485nC
25°C時的Td(開/關)47ns/385ns
測試條件400V, 75A, 1Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝-

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電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 40A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

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30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 10A

功率-最大

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開關能量

600µJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

600V, 10A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

360A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 50A

功率-最大

540W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

174nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/77ns

測試條件

480V, 50A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

電流-集電極脈沖(Icm)

485A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 50A

功率-最大

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260nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/236ns

測試條件

850V, 50A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

255ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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