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APT50GN60BG

APT50GN60BG

僅供參考

型號 APT50GN60BG
PNEDA編號 APT50GN60BG
描述 IGBT 600V 107A 366W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT50GN60BG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT50GN60BG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT50GN60BG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)107A
電流-集電極脈沖(Icm)150A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.85V @ 15V, 50A
功率-最大366W
開關能量1185µJ (on), 1565µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用325nC
25°C時的Td(開/關)20ns/230ns
測試條件400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 42A

功率-最大

200W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

188nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.32µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 12A

功率-最大

100W

開關能量

500µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/150ns

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 40A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65A

電流-集電極脈沖(Icm)

72A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 24A

功率-最大

250W

開關能量

115µJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

75nC

25°C時的Td(開/關)

41ns/104ns

測試條件

400V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

89ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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IGBT類型

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 6A

功率-最大

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