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APT50GN60BDQ2G

APT50GN60BDQ2G

僅供參考

型號 APT50GN60BDQ2G
PNEDA編號 APT50GN60BDQ2G
描述 IGBT 600V 107A 366W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 28 - 六月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT50GN60BDQ2G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT50GN60BDQ2G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT50GN60BDQ2G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)107A
電流-集電極脈沖(Icm)150A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.85V @ 15V, 50A
功率-最大366W
開關能量1185µJ (on), 1565µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用325nC
25°C時的Td(開/關)20ns/230ns
測試條件400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

330W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

230nC

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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門禁費用

55nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

480V, 24A, 18Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

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輸入類型

Standard

門禁費用

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