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APT5024BLLG

APT5024BLLG

僅供參考

型號 APT5024BLLG
PNEDA編號 APT5024BLLG
描述 MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT5024BLLG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT5024BLLG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APT5024BLLG規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs240mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs43nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)265W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 [B]
包裝/箱TO-247-3

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

274pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

24W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 320µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 78W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

416W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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