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APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

僅供參考

型號 APT45GR65BSCD10
PNEDA編號 APT45GR65BSCD10
描述 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,086
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 23 - 七月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT45GR65BSCD10資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT45GR65BSCD10
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT45GR65BSCD10規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)118A
電流-集電極脈沖(Icm)224A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 45A
功率-最大543W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用203nC
25°C時的Td(開/關)15ns/100ns
測試條件433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)80ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 32A

功率-最大

140W

開關能量

320µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

110nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/85ns

測試條件

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

ISOPLUS247™

供應商設備包裝

ISOPLUS247™

制造商

IXYS

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

230W

開關能量

430µJ (on), 650µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

30nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/80ns

測試條件

400V, 20A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

34ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

電流-集電極脈沖(Icm)

290A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

500W

開關能量

3.7mJ (on), 1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

118nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/84ns

測試條件

400V, 75A, 4Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

147ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247

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系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

31A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 17A

功率-最大

100W

開關能量

230µJ (on), 1.18mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

51nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/200ns

測試條件

480V, 17A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

65ns/250ns

測試條件

300V, 15A, 30Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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