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APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

僅供參考

型號 APT36GA60BD15
PNEDA編號 APT36GA60BD15
描述 IGBT 600V 65A 290W TO-247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT36GA60BD15資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT36GA60BD15
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT36GA60BD15規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 8™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)65A
電流-集電極脈沖(Icm)109A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 20A
功率-最大290W
開關能量307µJ (on), 254µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用18nC
25°C時的Td(開/關)16ns/122ns
測試條件400V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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開關能量

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輸入類型

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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輸入類型

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 20A

功率-最大

340W

開關能量

1.05mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

66nC

25°C時的Td(開/關)

-/156ns

測試條件

600V, 20A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 10A

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輸入類型

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門禁費用

52nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/178ns

測試條件

400V, 10A, 25Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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