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APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

僅供參考

型號 APT30GS60BRDQ2G
PNEDA編號 APT30GS60BRDQ2G
描述 IGBT 600V 54A 250W SOT227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,406
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT30GS60BRDQ2G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT30GS60BRDQ2G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT30GS60BRDQ2G規格

制造商Microsemi Corporation
系列Thunderbolt IGBT®
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)54A
電流-集電極脈沖(Icm)113A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.15V @ 15V, 30A
功率-最大250W
開關能量570µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用145nC
25°C時的Td(開/關)16ns/360ns
測試條件400V, 30A, 9.1Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)25ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

42A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 20A

功率-最大

125W

開關能量

160µJ (on), 60µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

48nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/165ns

測試條件

400V, 10A, 32Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 25A

功率-最大

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開關能量

2.1mJ (on), 1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

75ns/315ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

130ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

74A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

255W

開關能量

390µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/165ns

測試條件

400V, 20A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

62ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

3.47mJ (on), 2.16mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

87nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/127ns

測試條件

960V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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