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APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

僅供參考

型號 APT150GN60B2G
PNEDA編號 APT150GN60B2G
描述 IGBT 600V 220A 536W SOT227
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $193.4126
50 ---------- $184.3464
100 ---------- $175.2802
200 ---------- $166.2140
400 ---------- $158.6588
500 ---------- $151.1036
庫存 860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT150GN60B2G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT150GN60B2G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT150GN60B2G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)220A
電流-集電極脈沖(Icm)450A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.85V @ 15V, 150A
功率-最大536W
開關能量8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用970nC
25°C時的Td(開/關)44ns/430ns
測試條件400V, 150A, 1Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3 Variant
供應商設備包裝-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 10A

功率-最大

100W

開關能量

430µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

17nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/180ns

測試條件

480V, 10A, 30Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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350A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 44A

功率-最大

330W

開關能量

1.3mJ (on), 1.05mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

138nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/155ns

測試條件

480V, 44A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

430V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 4V, 15A

功率-最大

115W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 4A

功率-最大

63W

開關能量

130µJ (on), 83µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

12nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/100ns

測試條件

400V, 4A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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