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AFT20S015GNR1

AFT20S015GNR1

僅供參考

型號 AFT20S015GNR1
PNEDA編號 AFT20S015GNR1
描述 FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 15,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AFT20S015GNR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AFT20S015GNR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
AFT20S015GNR1, AFT20S015GNR1數據表 (總頁數: 18, 大小: 821.39 KB)
PDFAFT20S015NR1數據表 封面
AFT20S015NR1數據表 頁面 2 AFT20S015NR1數據表 頁面 3 AFT20S015NR1數據表 頁面 4 AFT20S015NR1數據表 頁面 5 AFT20S015NR1數據表 頁面 6 AFT20S015NR1數據表 頁面 7 AFT20S015NR1數據表 頁面 8 AFT20S015NR1數據表 頁面 9 AFT20S015NR1數據表 頁面 10 AFT20S015NR1數據表 頁面 11

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AFT20S015GNR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.17GHz
增益17.6dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試132mA
功率-輸出1.5W
電壓-額定65V
包裝/箱TO-270BA
供應商設備包裝TO-270-2 GULL

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60mA

噪聲系數

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10mA

功率-輸出

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電壓-額定

25V

包裝/箱

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增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

750mA

功率-輸出

100W

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28V

額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

800mA

功率-輸出

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電壓-額定

65V

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28V

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噪聲系數

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當前-測試

100mA

功率-輸出

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電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

375-04, Style 2

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.17GHz

增益

21.7dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

90mA

功率-輸出

1.26W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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