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A2T20H330W24NR6

A2T20H330W24NR6

僅供參考

型號 A2T20H330W24NR6
PNEDA編號 A2T20H330W24NR6
描述 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

A2T20H330W24NR6資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號A2T20H330W24NR6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
A2T20H330W24NR6, A2T20H330W24NR6數據表 (總頁數: 17, 大小: 511.86 KB)
PDFA2T20H330W24NR6數據表 封面
A2T20H330W24NR6數據表 頁面 2 A2T20H330W24NR6數據表 頁面 3 A2T20H330W24NR6數據表 頁面 4 A2T20H330W24NR6數據表 頁面 5 A2T20H330W24NR6數據表 頁面 6 A2T20H330W24NR6數據表 頁面 7 A2T20H330W24NR6數據表 頁面 8 A2T20H330W24NR6數據表 頁面 9 A2T20H330W24NR6數據表 頁面 10 A2T20H330W24NR6數據表 頁面 11

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A2T20H330W24NR6規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.88GHz ~ 2.025GHz
增益15.9dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)10µA
噪聲系數-
當前-測試700mA
功率-輸出229W
電壓-額定65V
包裝/箱OM-1230-4L2L
供應商設備包裝OM-1230-4L2L

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噪聲系數

4dB

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

25V

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.93GHz ~ 1.99GHz

增益

17.9dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

1.6A

功率-輸出

56W

電壓-額定

66V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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頻率

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增益

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電壓-測試

50V

額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

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功率-輸出

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電壓-額定

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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NXP

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

N-Channel JFET

頻率

100MHz

增益

-

電壓-測試

10V

額定電流(安培)

30mA

噪聲系數

1.5dB

當前-測試

5mA

功率-輸出

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電壓-額定

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