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70V657S12BC8

70V657S12BC8

僅供參考

型號 70V657S12BC8
PNEDA編號 70V657S12BC8
描述 IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V657S12BC8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V657S12BC8
類別半導體內存IC內存

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70V657S12BC8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小1.125Mb (32K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-CABGA (17x17)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

633MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

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-

電壓-供電

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1ms

訪問時間

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內存類型

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內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

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