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70T651S12BFI

70T651S12BFI

僅供參考

型號 70T651S12BFI
PNEDA編號 70T651S12BFI
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70T651S12BFI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70T651S12BFI
類別半導體內存IC內存

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70T651S12BFI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-LFBGA
供應商設備包裝208-CABGA (15x15)

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

125MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

6ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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DRAM

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

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0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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