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66116

66116

僅供參考

型號 66116
PNEDA編號 66116
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 6 - 六月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

66116資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號66116
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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66116規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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頻率-過渡

40GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

23dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

4-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

4-TSFP

0910-150M

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8.1dB ~ 8.5dB

功率-最大

400W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55KT

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

增益

13.5dB ~ 15dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Broadcom

制造商

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系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

增益

14dB ~ 16dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

增益

13.5dB

功率-最大

205mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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