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66112

66112

僅供參考

型號 66112
PNEDA編號 66112
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,038
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 12 - 七月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

66112資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號66112
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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66112規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6.7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

11dB

功率-最大

800mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供應商設備包裝

6-CPH

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

11.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23

UTV200

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

28V

頻率-過渡

470MHz ~ 860MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8.5dB ~ 9.5dB

功率-最大

80W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

4.5A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55JV

供應商設備包裝

55JV

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2.8V

頻率-過渡

43GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz

增益

-

功率-最大

136mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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NXP

制造商

NXP USA Inc.

系列

Automotive, AEC-Q101

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

11GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

增益

18dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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