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55GN01FA-TL-H

55GN01FA-TL-H

僅供參考

型號 55GN01FA-TL-H
PNEDA編號 55GN01FA-TL-H
描述 RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3SSFP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 8 - 六月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

55GN01FA-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號55GN01FA-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
55GN01FA-TL-H, 55GN01FA-TL-H數據表 (總頁數: 9, 大小: 500.01 KB)
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55GN01FA-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
頻率-過渡4.5GHz ~ 5.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.9dB @ 1GHz
增益11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz
功率-最大250mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)70mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-81
供應商設備包裝3-SSFP

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頻率-過渡

5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

增益

13dB ~ 15.5dB

功率-最大

1.25W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Macro-X

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

增益

17.5dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

200MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

4.5dB @ 200MHz

增益

20dB

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

供應商設備包裝

TO-72

KSC1730YTA

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

1.1GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

13dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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