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4N36VM

4N36VM

僅供參考

型號 4N36VM
PNEDA編號 4N36VM
描述 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 2 - 五月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

4N36VM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號4N36VM
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
4N36VM, 4N36VM數據表 (總頁數: 13, 大小: 398.34 KB)
PDFH11A4VM數據表 封面
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4N36VM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離4170Vrms
電流傳輸比(最小值)100% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)2µs, 2µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.18V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)300mV
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝6-DIP

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200% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

7.5µs, 5.7µs

上升/下降時間(典型值)

3.2µs, 4.7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

150mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

2000% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

100µs, 100µs

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington

電壓-輸出(最大值)

40V

電流-輸出/通道

200mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.17V

電流-直流正向(If)(最大值)

80mA

Vce飽和度(最大值)

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320% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 2.3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 2µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

250% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

500% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

6µs, 5.5µs

上升/下降時間(典型值)

3.5µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

55V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.1V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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頻道數

1

電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

20% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

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上升/下降時間(典型值)

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